Инженерные дисциплины

01 Если плоскость пересечет все образующие цилиндрической поверхности вращения и не будет перпендикулярна оси вращения поверхности, то она пересечет поверхность по: → 02 Метод замены плоскостей проекций состоит в: → 03 Построение проекции точки на вновь введенную плоскость проекций начинают с: → 04 В основе построения аксонометрической проекции лежит метод: → 05 Если показатели искажения по аксонометрическим осям равны между собой аксонометрию называют: → 06 Окружность, выполненная на КЧ в виде отрезка прямой и окружности, может быть проекцией → 07 Преобразование КЧ имеет целью → 08 В прямоугольной аксонометрии большая ось эллипса, проекции окружности, лежащей в плоскости XOY натуральной системы координат располагается на аксонометрическом чертеже: → 09 Если при пересечении конической поверхности с плоскостью получаем две пересекающиеся прямые, то секущая плоскость должна → 10 Ортогональная проекция точки А или В на плоскости → 11 При ортогональном проецировании на плоскость прямая проецируется в: → 12 В прямоугольной аксонометрии малая ось эллипса-проекции окружности, лежащей в одной из координатных плоскостей натуральной системы координат располагается на аксонометрическом чертеже: → 13 Если при пересечении открытого тора плоскостью получим одну окружность, то секущая плоскость должна → 14 Основная позиционная задача это задача на … → 15 При пересечении открытого тора плоскостью, параллельной оси вращения тора и касающейся окружности горла поверхности, получим плоскую кривую называемую: → 16 Вторая главная позиционная задача — это задача на … → 17 Если секущая плоскость будет перпендикулярна оси конуса вращения, то она пересечет конус по: → 18 Основной проекцией проецирующей поверхности называют ее проекцию на: → 19 При преобразовании КЧ методом вращения взаимное расположение ГО и плоскостей проекций изменяется за счет → 20 ЭДС взаимоиндукции: → 21 ЭДС самоиндукции: → 22 Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое → 23 ЭДС, индуктированная в проводнике, при движении его со скоростью V = 20 м/с в направлении, указанном стрелкой; B = 1,2×10-5 Вб/см2, l =1000 мм,… → 24 Цепная схема: → 25 Эквивалентное сопротивление цепи, представленной на схеме, равно → 26 Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является: → 27 Эквивалентное сопротивление цепи, представленной на схеме, равно → 28 Цифровая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является: → 29 Эквивалентное сопротивление цепи, представленной на схеме, равно → 30 Цифровое устройство, выполняющее логические операции, обратные функции дешифратора, — это: → 31 Эквивалентное сопротивление цепи, представленной на схеме, равно → 32 Частная петля гистерезиса: → 33 Электрическая схема: → 34 B прямоугольной приведенной изометрической проекции и большая ось эллипса-проекции окружности, лежащей в одной из координатных плоскостей натуральной системы координат проецируется в отрезок → 35 Частота f= → 36 Электрические импульсы разделяют на, из перечисленного: → 37 Аксонометрические проекции подразделяются на: → 38 Частота синусоиды видеоимпульса называется частотой → 39 Электрический фильтр: → 40 Через коэффициенты A, B, C и D параметры Z2 и Y0 Г-образного четырехполюсника выражаются следующим образом → 41 Электронный ключ: → 42 Через коэффициенты четырехполюсника A, B, C, D параметры Z1 и Y0 Г-образной схемы замещения выражаются следующим образом → 43 Явление взаимоиндукции: → 44 Через параметры Г-образной схемы замещения коэффициенты четырехполюсника выражаются следующим образом → 45 Явление резонанса: → 46 Через параметры Г-образной схемы замещения коэффициенты четырехполюсника выражаются следующим образом → 47 Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее → 48 Четырёхполюсник: → 49 Шаг квантования определяется для квантования → 50 Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется: → 51 Фаза: → 52 Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется → 53 Угловая частота при резонансе для цепи при R = 10 Ом, С = 10 мкФ, L = 100 мГн равна → 54 Фазовые токи в симметричном приемнике, соединенном звездой с нулевым проводом при обрыве фазы А (I — ток при симметричной нагрузке), будут равны → 55 Характерная особенность диода Шотки: → 56 Угловая частота при резонансе для цепи при R = 20 Ом, L = 20 мГн, С = 50 мкФ равна → 57 Фазочастотная характеристика усилителя: → 58 Угловая частота: → 59 Ферриты: → 60 Угол расположения плоскости катушек вариометра, при котором коэффициент связи между катушками равен нулю, будет: →